対応応用分野

あらゆる市場で
精密加工を提供

株式会社ナノシステムズJPは、自動車・フォトニクス・ライフサイエンス・パワーエレクトロニクス・通信・ディープテック研究など、半導体グレードのクリーンルーム精度を必要とするハードウェア開発者を支援します。プロトタイプ1枚から対応可能です。

自動車MEMS・SiCシリコンフォトニクスライフサイエンス・医療 AR/VRオプティクス5G/6G RFデバイスAIインフラスタートアップ・研究
20+
全応用分野対応の
プロセス技術数
1枚から
最小ロットサイズ
最低数量なし
グローバル
英語対応で
世界中のお客様に
NDA
最初の技術的議論の
前に締結可能
対応応用分野
主要4分野を中心に、幅広いディープテック用途に対応しています

ピュアプレイファウンドリとして、半導体精度を必要とするあらゆる業界向けに加工を行います。以下が主要な垂直分野ですが、クリーンルームが必要なデバイスであれば、ぜひご相談ください。

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自動車

MEMSセンサー · SiC/GaNパワー · LiDAR

エアバッグ・VDCシステム向けMEMS加速度センサー・ジャイロスコープ。EVトラクションインバーター向けSiC MOSFET・GaNパワーデバイス。自律走行認識向けMEMS LiDARスキャニングミラー。圧力・ガス・湿度・温度センサー。

加工プロセス:DRIE、SiC向け1800℃までのイオン注入、ウェーハボンディング(アノーディック + AuSn気密)、アニール、パワーモジュール向け太Alワイヤーボンディング。

MEMSセンサーSiC MOSFETGaNパワーMEMS LiDARTPMS · MAP · ガスセンサー
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フォトニクス・シリコンフォトニクス

SiPho PIC · コパッケージドオプティクス · AR/VR · LiDAR

シリコンフォトニクスPIC向けSOI導波路パターニング、グレーティングカプラe-ビームリソグラフィ、ICP-RIEエッチング、AuSnフリップチップレーザー集積。400G/800G/1.6T向けTSV・TGVインターポーザ。NILによるAR/VR導波路コンバイナー・メタサーフェス。MEMSオプティカルスイッチ・可変フィルター。

ステルスレーザーダイシングで導波路端面を保護。すべてのフォトニクスプロセスを一貫提供。

SOI導波路AuSnレーザーフリップチップTSV/TGVインターポーザNIL AR/VRオプティクスメタサーフェス
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ライフサイエンス・医療

OoC · MEA · DNAシーケンシング · バイオセンサー · 埋め込み型

オルガンオンチップPDMSプラットフォーム、神経記録用マイクロ電極アレイ(MEA)、DNAシーケンシングフローセル、LSPRバイオセンサー、LIGAマイクロニードル、埋め込み型神経プローブ。低コスト診断量産向け500×600mmパネル対応ガラスバイオチップアレイ。

生体適合材料を全工程で使用:ISO 10993準拠ポリイミド、Pd-Ni電鋳、Au/Pt電極。

オルガンオンチップDNAフローセルLSPRバイオセンサーLIGAマイクロニードル神経プローブ
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スタートアップ・ベンチャー支援

1枚から · 45日プロトタイプ · NDA対応可

MEMSセンサー・フォトニクスデバイス・バイオチップ・パワー半導体など新規半導体デバイスを開発するハードウェアスタートアップは、プロトタイプ1枚から当社の20プロセスファウンドリを利用できます。45日以内。NDA対応可。英語対応のプロセスエンジニアが担当。ピュアプレイファウンドリのため、お客様と競合することはありません。

コンセプトからプロトタイプ、量産まで、同じプロセスレシピ、同じプロジェクトマネージャー、技術移転不要。

1枚から45日以内プロトタイプNDA対応可英語サポートスケール対応
その他の応用分野
半導体精度を必要とするすべての産業
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AI・高性能コンピューティング

AIアクセラレーター(GPU、TPU、NPU)向け3D-IC HBMスタッキング。シリコンまたはガラスインターポーザ上の2.5Dチップレット集積。TSV製造、TSV露出、RDL、C4バンプ形成--HPCチップレット設計向けの完全な先端パッケージングスタック。次世代AIモジュールパッケージング向けTGVガラスインターポーザ(510×510mm)。

HBMスタッキングチップレット集積TGV 510×510mmAIアクセラレーター
サービス詳細 →
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5G/6G・RF通信

5G/6GフロントエンドモジュールのGaAs、InP、GaN MMIC製造。mmWave信号完全性向けBCB(k=2.65)パッシベーション。低損失RFルーティング向けTGVガラスインターポーザ。フラックスレスmmWaveアセンブリ向けAuSnフリップチップ。気密AuSnパッケージング付きRF MEMSスイッチ。

GaN/GaAs MMICBCB低誘電率 mmWaveAuSnフリップチップTGVガラスRF
サービス詳細 →
🌞

エネルギー・パワーエレクトロニクス

太陽光インバーター・EV充電インフラ・産業用モータードライブ・系統蓄電向けSiC・GaNパワーデバイス製造。パワーモジュール組立向け銀焼結ダイボンドおよび太Alワイヤーボンディング。熱要求の厳しいパッケージング向けAlN DPCセラミック。

SiC · GaN フルフローAg焼結ダイボンドDPC AlN太陽光 · 系統 · EV充電器
サービス詳細 →
🛰️

宇宙・防衛

ウェーハレベル加工から気密パッケージ組立まで完全なロットトレーサビリティを持つ高信頼半導体製造。MIL-STD-883準拠Auワイヤーボンディング。放射線耐性3D-ICスタッキング。必要に応じた輸出管理対応。

Au線 MIL-STD準拠気密パッケージング完全トレーサビリティ宇宙グレード
サービス詳細 →
⚗️

産業・科学計測器

産業プロセス監視・科学計測器・環境センシング向け精密MEMSセンサー。MEMS圧力センサー・流量センサー・ガスセンサー・光学分光計。研究室計測器コンポーネント向け大面積ガラス基板。

MEMS産業センサー流量 · ガス · 圧力光学MEMS研究計測器
サービス詳細 →
🔬

ディープテック研究

新規デバイス・量子フォトニクスチップ・メタマテリアルセンサー・圧電MEMS・MEMSエネルギーハーベスタ・ナノ流体研究プラットフォームを製作する大学・企業R&Dグループ向け。1枚から。高速イテレーション。エンジニアリングコンサルテーション含む。

量子 · メタマテリアル新規MEMS1枚から研究プロトタイプ
サービス詳細 →
なぜ株式会社ナノシステムズJPか
あらゆる業界に対応するピュアプレイファウンドリ
01

ピュアプレイ - お客様と競合しない

株式会社ナノシステムズJPは半導体デバイスの設計・製造・販売を行いません。お客様のためにのみ製造を行います。すべての応用分野のお客様がこのニュートラルな立場から恩恵を受けます。

02

20以上のプロセスをすべて提供

DRIE、リソグラフィ、薄膜成膜、イオン注入、ウェーハボンディング、TSV/TGV、RDL、AuSnバンプ形成、パッケージング--すべて一施設で完結。複数ベンダー間の調整遅延なし。

03

1枚から、全プロセス、全業界

当社ポートフォリオのすべてのプロセスの最小ロットサイズは1枚のウェーハです。企業R&Dラボでもハードウェアスタートアップでも、最低ロットコミットメントなしでデバイスのプロトタイプを製作できます。

04

グローバルのお客様向け英語対応エンジニア

東京拠点ながら、グローバルのお客様に完全英語で対応。技術コンサルテーション・見積もり・プロジェクト管理をすべて英語で--コンセプトから加工まで言語の壁なし。

05

NDA対応可

設計ファイル・仕様・デバイスパラメータをご共有いただく前にNDAを締結できます。最初のメッセージにその旨をお書き添えください。お問い合わせ・見積もりはNDAなしでも可能です。

06

日本のクオリティ、グローバルにアクセス可能

日本の製造品質基準、プロセス規律、信頼性を、世界中のチームが日本拠点のファウンドリサービスにアクセスできる英語インターフェースで提供。

主要プロセス 全応用分野に対応する製造技術

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1営業日以内にご返信いたします。

プロセス要件・基板・生産数量をお知らせください。ナノシステムズJPのエンジニアが1営業日以内にご返信いたします。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内。

sales@nanosystemsjp.co.jp · +81-3-5288-5569 · NDA対応可

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