基板仕様

合成石英・溶融シリカ
ウェーハ&基板

光学・MEMS・半導体パッケージング・フォトニクス用途向けの精密グレードSiO₂ウェーハ。全主要純度グレードに対応し、標準・カスタム寸法、光学研磨仕上げをご指定仕様で供給します。スタンドアロン基板供給、またはTGV・薄膜・リソグラフィを含む一貫加工にも対応。

SiO₂ / 溶融シリカ JGS1・JGS2・JGS3 合成石英 UV〜IR透過 カスタム厚み TGV対応
4
対応
純度グレード数
1"–6"
標準ウェーハ
径ラインナップ
Ra<0.5
高精度表面仕上げ
(nm)
±10µm
カスタム厚み
公差
概要
基板調達から完成デバイスまで
一貫対応

Nanosystems JP Inc.は、光学・MEMS・半導体パッケージング・フォトニクス分野のデバイス開発を支えるため、合成石英(溶融シリカ)ウェーハおよび基板を供給しています。標準グレードの在庫品から、非標準径・カスタム厚み・指定表面仕上げまで幅広く対応。スタンドアロンの基板供給としてもご利用いただけるほか、TGV穿孔・薄膜成膜・リソグラフィ・ダイシングを含む一貫加工サービスと組み合わせることも可能です。専任プロジェクトマネージャーが基板調達から最終工程まで一括して担当します。

純度グレード
主要グレード一覧と比較

溶融シリカは製造方法によってOH含有量・透過スペクトル特性が異なります。下表はJGS分類に基づく4つの主要グレードと、それぞれの代表的な用途領域を示しています。お客様の図面が地域固有のグレード名やメーカー独自規格を参照している場合は、お問い合わせいただければ適切な規格への照合をご支援します。

グレード 製造方法 OH含有量 UV透過限界 IR透過限界 主要用途
JGS1 酸水素炎合成(合成SiO₂) 約200 ppm 約170 nm 約2.5 µm 深紫外光学系、エキシマレーザー部品、UVリソグラフィ窓、フォトマスク基板
JGS2 ガス精製天然石英溶融 約150 ppm 約220 nm 約2.5 µm 可視〜近紫外光学系、MEMS基板、気密封止窓
JGS3 天然石英の電気溶融 10 ppm未満 約260 nm 約3.5 µm 中赤外・熱撮像光学系、赤外分光窓、IRセンサーカバー
合成石英 CVD / 火炎加水分解(超高純度) 1 ppm未満 約160 nm 約2.5 µm DUVリソグラフィ、高出力レーザー系、半導体フォトマスク、精密干渉計測

カットオフ波長は代表的な透過率閾値(≥10%)での目安値です。実際の性能はサンプル厚みや表面状態により異なります。図面に地域固有グレード名やメーカー規格が記載されている場合は、お問い合わせください。

標準仕様
ウェーハ径・厚み・
表面仕上げオプション

標準在庫品は最も一般的なウェーハサイズおよび仕上げグレードをカバーしています。カスタム寸法はご依頼に応じてご対応します。

⬛ ウェーハ径

  • 1インチ(25.4 mm)
  • 2インチ(50.8 mm)
  • 4インチ(100 mm)
  • 6インチ(150 mm)
カスタム径および角形・矩形基板はご要望に応じて対応可能です。

📏 厚み

  • 標準在庫:200 µm〜2 mm
  • 超薄型:200 µm未満(カスタム)
  • 厚型:2 mm超(カスタム)
  • 公差:カスタム品は±10 µm
精密グレードではTTV(Total Thickness Variation)5 µm未満も対応可能です。

🔬 表面仕上げ

  • 標準光学研磨 - Ra <1 nm(40-20 スクラッチ・ディグ相当)
  • 高精度研磨 - Ra <0.5 nm(20-10 スクラッチ・ディグ相当)
  • 片面または両面研磨
  • 未研磨 / 切断まま品(非光学用途向け)
カスタム平坦度仕様および表面品質グレードに対応可能です。

📐 その他オプション

  • SEMIオリフラ - 4インチおよび6インチ対応
  • ノッチ付きウェーハはご要望に応じて対応
  • エッジ研磨および端部除外幅の指定
  • ウェーハ検査レポートの提供可能
大ロット向けにはレーザーマーキングおよびカセット/FOUP対応梱包も対応可能です。
カスタム調達
非標準仕様への対応

標準グレードでは設計要件を満たせない場合も、お客様のプロジェクトに合わせたカスタム溶融シリカウェーハを供給し、追加加工工程も一括でご提供します。

カスタム仕様対応内容

図面または仕様書をご提出いただければ、基板供給・表面加工・後工程の一括見積もりをご提示します。Nanosystems JP Inc.の専任プロジェクトマネージャーが全工程を担当します。

  • カスタム厚み(±10 µm公差での指定)
  • カスタム径または角形・矩形基板
  • 指定表面品質グレード(Ra、スクラッチ・ディグ、または平坦度クラス)
  • 反射防止(AR)・高反射(HR)コーティング
  • 電気光学用途向けITO(酸化インジウムスズ)成膜
  • 気密パッケージングまたはインターポーザー用途向けTGV(貫通ガラスビア)加工
  • 同一ウェーハへのリソグラフィ・エッチング・薄膜成膜の複合加工
  • 少量R&Dロットも受付(最低発注数量なし)
用途
合成石英が選ばれる場面

シリコンやホウケイ酸ガラスでは光学・熱・化学的要件を満たせない場合に、合成石英(溶融シリカ)が選択されます。主な用途は以下の通りです。

MEMS基板 貫通ガラスビア(TGV)インターポーザー 気密封止窓 UV・可視・IR光学窓 薄膜成膜基板(ALD・CVD・PVD) フォトリソグラフィマスク・レチクル エキシマ・高出力レーザー光学部品 バイオメディカル・マイクロ流体デバイス RF・高周波基板(低誘電損失) 精密干渉計測・メトロロジー 半導体フォトマスクブランク 極低温光学用途
🔲

TGVインターポーザー

合成石英はTGV(貫通ガラスビア)形成に最も適したガラス材料の一つです。低熱膨張係数・UV透過性・耐薬品性により、2.5Dパッケージングや光インターポーザー用途に適しています。基板供給からビア加工まで一括してご対応します。

最小ビア径 20µm パネル510×510mm 低CTE
💡

フォトニクス・光学

UV〜中赤外領域の広透過帯域・自家蛍光の少なさ・低熱膨張率により、光学窓・導波路基板・高出力レーザーシステム部品の標準材料として広く使用されています。

160nm〜3.5µm CTE ≈0.55 ppm/°C 低自家蛍光
🧬

バイオメディカル・マイクロ流体

化学的不活性・UV/可視域の光学透過性・半導体エッチングプロセスとの親和性により、ラボオンチップ・バイオセンサー窓・体内埋込型光学部品など幅広い用途に対応します。

UV透過 化学的不活性 DRIE対応
Nanosystems JP Inc.を選ぶ理由
基板調達と加工を
ワンストップで
01

マルチリージョンサプライチェーンへのアクセス

国内外の溶融シリカサプライチェーンから調達対応。複数サプライヤーの管理なしに、適切なグレードと形状へのアクセスをご提供します。

02

基板調達と加工を一プロジェクトで

TGV穿孔・薄膜成膜・リソグラフィ・エッチング・ダイシングが必要な場合も、専任プロジェクトマネージャーが一括して担当。一つの見積もり、一つの窓口でご対応します。

03

R&D・少量ロット対応

標準グレードの最低発注数量なし。1枚からのプロトタイプおよびR&Dロットも、量産品と同等のプロセス品質で受け付けています。

04

グレード照合・仕様確認サポート

図面にメーカー固有の呼称や地域グレード名が記載されている場合も、弊社チームが適切な供給品を確認し、お客様のプロセス要件との適合性を検証します。

次のプロセスステップ 溶融シリカ基板への代表的な加工フロー

溶融シリカ基板のお見積もり。
1営業日以内に返信いたします。

グレード要件・ウェーハ径・厚み・表面仕上げ・数量をご共有ください。Nanosystems JP Inc.のエンジニアが1営業日以内にご返信します。詳細見積もりはカスタム仕様の要件やNDA締結状況により、通常7〜10営業日以内にご提示します。

sales@nanosystemsjp.co.jp · ご要望に応じてNDA締結可能 · 1営業日以内に返信

テクニカルAI — ナノシステムズJP
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Services & Industries
⚙️ Capabilities Overview
Substrates
🔷 Substrate & WafersSi, SiC, GaN, glass, sapphire 🔬 Fused Silica WafersQuartz · borosilicate · low CTE 🟣 PI Film & SUS Sensor FabRoll-to-roll · sensor patterning
Front-End
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