ファウンドリパートナーシップ - スタートアップ & イノベーター

スタートアップ向け
ファウンドリパートナー

最初のウェーハから最初の製品まで、株式会社ナノシステムズJPはハードウェアスタートアップを低ロット製造・プロセス専門知識・45日以内のプロトタイプで支援します。最低ロットサイズなし。IP保護はDay 1から。英語対応エンジニア。

1枚からプロトタイプ45日以内 NDA Day 1英語対応エンジニア 20種類以上のプロセスピュアプレイ
1枚
最小ロットサイズ、1枚からプロトタイプ
45日
標準3〜4マスクプロセスのターンアラウンド
20+
プロセス能力、単一窓口
Day 1
IP保護 - NDA初日から対応
スタートアップ製造の課題
アイデアとプロトタイプの間にある2つのギャップ

ほとんどのハードウェアスタートアップはアクセス問題に直面します:量産向けに設計された大型ファウンドリ(最低25枚ロット、6ヶ月待ち)か、専門性のない大学研究室(必要なプロセスの一部しか持たない)かです。当社はその中間を埋めます。

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アイデアがある - 設備は当社にある

新しいMEMS圧力センサー、フォトニクスバイオセンサー、SiCパワーチップの開発にはICP-RIEエッチャー、KrFステッパー、ALD装置、イオン注入機、ウェーハボンダーが必要です。当社はこれらすべてを保有しています。あなたの設計、当社の設備。

ICP-RIE · DRIE · ALDKrFステッパー · Eビームイオン注入 · ウェーハボンダー20+種類の専門プロセス
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ビジョンがある - プロセス知識は当社にある

どのエッチレシピがMEMSの正しい側壁角度を生み出すか、どのバリア層がCuのシリコンへの拡散を防ぐか、どのAuSn組成で最適な光学アライメントが得られるか。当社のエンジニアはこれらの問題を毎日解決しています。完全英語で相談可能。

英語対応エンジニアプロセス推奨・相談デバイス物理の専門知識

スピードが必要 - 45日以内に届ける

大型ファウンドリは新規プロセスフローに通常6〜18ヶ月を要します。標準的な3〜4フォトマスクMEMSまたはフォトニクスプロセスでは、45日以内に最初のプロトタイプウェーハを納品します。6ヶ月ではありません。18ヶ月でもありません。

45日以内(標準フロー)3〜4マスクプロセス大型ファウンドリの6〜18ヶ月と比較
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IPが保護される

ピュアプレイファウンドリモデル:当社はお客様と競合するデバイスを設計・製造・販売しません。あなたの設計は競合他社に渡ることはありません。技術的な議論の前にNDAを締結できます。マスクレイアウト・プロセスパラメータ・デバイスアーキテクチャは最初のお問い合わせから機密扱いです。

ピュアプレイ - 競合しないNDA Day 1からIP機密保持
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英語対応エンジニア

東京を拠点とし、グローバルな顧客に完全英語で対応します。技術相談・見積もり・エンジニアリングサポート・進捗報告。単に質問を中継するだけのセールスコーディネーターではなく、デバイス物理を理解するエンジニアが直接対応します。

完全英語対応技術相談・見積もり・進捗報告欧州・北米・アジア顧客対応
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準備ができたら量産へスケール

1〜5枚のプロトタイプウェーハから始め、設計検証向けに10〜25枚のエンジニアリングロットウェーハへ移行し、生産量にスケールします。同一施設・同一レシピ・同一プロセスエンジニア。ファウンドリ移転の認定リスクなし。

1→5→25枚段階的移行同一施設・同一レシピ再認定なし
スタートアップ向け製造対象デバイス
半導体グレードの精度を必要とするすべてのデバイス
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MEMSセンサー & アクチュエータ

加速度センサー・ジャイロスコープ・圧力センサー・MEMSマイクロフォン・ガスセンサー・MEMSミラー。DRIE・薄膜成膜・ウェーハボンディング・気密パッケージングをすべて一つのプロジェクトで提供します。AIoT・ウェアラブル・車載向けMEMSスタートアップに対応します。

DRIE · KOH/TMAHPZT · AlN 圧電ウェーハボンディング 気密慣性センサー · 圧力 · マイクロフォン
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シリコンフォトニクス PIC

光通信・LiDAR・量子フォトニクス・バイオセンシング向けSOI導波路・グレーティングカプラー・リングレゾネーター・AuSnレーザーフリップチップ集積。KrFステッパーで高精度パターニング。ステルスダイシングで導波路ファセットを保護します。

SOI導波路 KrFステッパーAuSnフリップチップ III-Vステルスダイシング光通信 · LiDAR · 量子
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バイオチップ & マイクロ流体

POC診断・オルガンオンチップ・DNAシーケンシング・LSPRバイオセンサーを開発するバイオテックスタートアップ向けPDMSラボオンチップ。SU-8マスターからPDMSまで3〜5日。500×600mmガラスパネル対応。

PDMS 3〜5日プロトタイプNILナノポア · LSPR500×600mm ガラスPOC診断 · OoC · DNA塩基配列

パワー半導体

EVチャージャー・ソーラーインバーター・モーターコントローラー・産業用電源を開発するパワーエレクトロニクススタートアップ向けSiC MOSFETおよびGaN HEMT製造。高温SiCイオン注入アニール(最大1800°C)・AEC-Q対応プロセスフロー。

SiC MOSFET · GaN HEMT1800°C イオン注入アニールAEC-Q対応EV · ソーラー · 産業用
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RF & ミリ波デバイス

5G/6Gフロントエンドモジュール・衛星通信チップ・車載レーダーモジュールを開発するRFスタートアップ向けGaAs・InP・GaN MMIC製造。BCB(k=2.65)低誘電率有機絶縁材料・AuSn気密パッケージング・シャドウマスク対応。

GaAs · InP · GaN MMICBCB k=2.65AuSn 気密5G/6G · 衛星 · 車載レーダー
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研究プロトタイプ(任意デバイス)

上記のカテゴリに当てはまらない場合でも、半導体グレードのクリーンルーム製造を必要とするデバイスであれば対応します。新規デバイスコンセプトの実証から始められます。エンジニアが最適なプロセスフローを提案します。

カテゴリ問わず対応1枚からエンジニア相談
当社との進め方
コンセプトから最初のウェーハまで
01

技術的議論の前にNDA締結

設計ファイル・デバイス回路図・プロセス要件をNDA下で共有することを希望される場合、最初のエンジニアリング通話の前に締結できます。最初のお問い合わせとフィジビリティ確認はNDAなしで対応可能です。

最初のお問い合わせはNDA不要技術情報共有前に締結可
02

プロセス推奨と見積もり

当社のエンジニアがお客様のデバイス仕様・タイムライン・予算を実現するプロセスフローを特定します。詳細見積もりを提供します。必要に応じてプロセス設計の相談も対応します。

エンジニアによる技術相談7〜10営業日以内に詳細見積もり
03

マスク設計レビュー

リソグラフィベースプロセスでは、マスク設計のDRC(設計ルール準拠)・アライメントマーク配置・解像度限界のレビューを実施します。ウェーハ処理前に製造上の問題を特定してコストを削減します。

DRCレビュー GDS/DXFアライメントマーク確認ウェーハ処理前にコスト削減
04

製造と週次更新

製造開始。プロセスデータ(エッチング深さ・膜厚・CDメジャーメント)を含む週次進捗報告をお届けします。仕様外の場合はウェーハ出荷前に通知します。

週次進捗報告エッチング深さ · 膜厚 · CD測定仕様外は事前通知
05

プロトタイプ納品と反復

完全なプロセスデータシートとともに最初のプロトタイプウェーハを納品します。デバイス性能によってプロセス調整が必要な場合、同一設備・同一エンジニアで次のランの条件を推奨します。

完全プロセスデータシート付き同一設備・同一エンジニアで反復
06

量産へのスケールアップ

設計が確定し性能が検証されたら、エンジニアリングロット(10〜25枚)から量産へスケールします。同一施設・同一レシピ・同一ガス・同一クリーンルーム。認定プロセスの再移転リスクなし。

10〜25枚 エンジニアリングロット同一施設 · 同一レシピ認定プロセス再移転リスクなし
なぜ株式会社ナノシステムズJPか
スタートアップのハードウェア開発スピードに合わせたファウンドリ
01

1枚から本当に

当社が提供するすべてのプロセスは単一のプロトタイプウェーハから利用可能です。25枚の最低ロットなし。エンジニアリングウェーハ料金なし。必要な数だけ実行できます。

02

標準フローで45日以内

標準的な3〜4マスクMEMSまたはフォトニクスプロセスは45日以内に最初のプロトタイプウェーハを納品します。6ヶ月ではありません。18ヶ月でもありません。

03

全20種類のプロセス

DRIEからPECVDまで、イオン注入からウェーハボンディングまで、TSVからパッケージングまで、すべて一つ屋根の下。サブコントラクターの調整なし。複数ベンダーへの引き渡しなし。

04

NDAとIP保護 Day 1から

正式な合意の下で技術情報を共有することを希望する場合、NDAを利用できます。マスクレイアウト・デバイス設計・プロセスパラメータは完全に機密として扱われます。

05

英語対応プロセスエンジニア

デバイス物理を理解するエンジニアからの英語技術サポート。単に質問を中継するだけのセールスコーディネーターではありません。直接かつ技術的な回答。

06

ピュアプレイ - 競合しない

株式会社ナノシステムズJPは半導体デバイスを設計・販売しません。当社はお客様のためにデバイスを製造します。あなたの製品アイデアは競合に渡ることはありません。

全プロセスレンジ マスクからダイシング済みチップまで - すべて対応

プロジェクトを開始しましょう。
1営業日以内にご返信いたします。

プロセス要件・デバイスタイプ・スケジュールをお知らせください。ナノシステムズJPのエンジニアが1営業日以内にご返信いたします。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内。最初のお問い合わせはNDA不要です。

sales@nanosystemsjp.co.jp · +81-3-5288-5569 · NDA対応可 · 最初のお問い合わせはNDA不要

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Services & Industries
⚙️ Capabilities Overview
Substrates
🔷 Substrate & WafersSi, SiC, GaN, glass, sapphire 🔬 Fused Silica WafersQuartz · borosilicate · low CTE 🟣 PI Film & SUS Sensor FabRoll-to-roll · sensor patterning
Front-End
🎭 Mask FabricationGDS to chrome mask, DRC 📷 PhotolithographyE-beam 20 nm to 500×600 mm 🔬 NanoimprintingUV & thermal NIL 🫧 Thin Film DepositionPVD, CVD, ALD, MBE ⬆️ LiftoffMetal pattern · shadow mask ⚡ ElectroplatingCu TSV fill, DPC, LIGA 🌊 EtchingICP-RIE, DRIE >50:1 🔥 AnnealingN₂ / H₂ / vacuum / RTA ⚛️ Ion ImplantationB / P / As / Al / N implant 🔄 CMP & GrindingCu CMP, 50 µm thinning 💎 DicingBlade, stealth laser 🧪 Wafer CleaningRCA, plasma, megasonic
Advanced Packaging
🔗 Wafer BondingHybrid, eutectic, fusion 📌 TSV FabricationHigh AR, void-free Cu fill 👁️ TSV RevealBackgrind → etch → CMP 🪟 TGV FabricationThrough-glass via 🔀 RDL FabricationBCB / PBO / PI + damascene 📦 Packaging & AssemblyWire bond, flip-chip 📚 3D / 2.5D PackagingTSV + RDL + UBM + C4 🥇 AuSn BumpPVD lift-off, fluxless 🧬 Biochip & MicrofluidicsGlass 500×600 mm, NIL 🔆 SiPho PackagingTSV · RDL · UBM · C4 for PIC
Industries
🤖 AI & HPC PackagingCoWoS-style, 2.5D / 3D 💡 Silicon PhotonicsSOI · AuSn · TSV interposer 🚗 AutomotiveMEMS sensors, SiC power 🧬 Life SciencesLab-on-chip, biosensors 🔭 All Industries → Request a Quote →