ほとんどのデバイスは複数の成膜工程を必要とします。スパッタ金属電極・PECVD誘電体絶縁膜・ALD ゲート酸化膜・MBEエピタキシャル成長がすべて同一デバイスに必要な場合もあります。当社では一つのプロジェクト内でこれらすべてをベンダー間の技術移転なしに調整します。
PVDは電極メタライゼーション・バリア層成膜・機能性薄膜形成の基盤です。100種類以上のスパッタリングターゲットを保有しています。
DCマグネトロンスパッタリング
最も汎用性の高いPVD方式。金属・合金・セラミック・透明導電膜に対応。大型基板全体で優れた膜厚均一性。低基板温度。
Al · Au · Ag · Pt · Cr · Cu · Ni · Ru · Ir · Zr · Ta · W · Rh · Re
反応性マグネトロンスパッタリング
成膜中にin-situ反応性ガスが化合物膜を形成。窒化物・酸化物・透明導電体を1ステップで成長。
AlN · TiN · TaN · TiW · SiN · ITO · AZO · GZO
圧電膜スパッタリング
機能性圧電・強誘電体薄膜の専門成膜。最大結合係数のための最適化された結晶方位テクスチャー。
PZT · KNN · AlN · KTN · SIROF · LiPON
Eビーム蒸着・熱蒸着
低汚染の高純度金属膜。リフトオフ加工に優れた適性。フリップチップパッケージング用AuSnはんだ成膜。
Au · Al · Ag · Ti · Cr · Cu · Sn · Pt · AuSn UBM
イオンプレーティング（IAD）
真空蒸着とイオン衝撃を組み合わせたイオンアシスト成膜。優れた密着性・膜密度・硬度。光学コーティングと耐摩耗ハードコート。
MgF₂ · Ta₂O₅ · Al₂O₃ · ハード金属
熱酸化膜
ウェットまたはドライ熱酸化による15〜20µmの熱酸化膜。低欠陥密度、優れた電気絶縁性、MOS構造向け高品質界面。
SiO₂（ウェット） · SiO₂（ドライ） · 15〜20µm
円形ウェーハと大型長方形基板を同一システムで処理 - 同じプロセスが4インチウェーハから500×600mmガラスパネルまでスケールします。
（Si・GaAs・SiC・InP...）
（オングストロームからミクロン）
ウェーハロット対応
CVDはガス相前駆体から膜を成長させ、複雑な3D構造・トレンチ・ビアへのコンフォーマルな被覆を可能にします。PECVDは400°C以下の低温で動作し、ポリマー基板とBEOL処理に対応します。
PECVD - プラズマエンハンストCVD
400°C以下の低温誘電体・半導体膜成膜。BEOLとポリマー基板に対応。
SiO₂ · SiN · SiON · a-Si:H · TEOS · PSG · NSG · DLC
PECVD SiN - 導波路グレード
光導波路アプリケーション向けに特別最適化された低温・低応力SiN。チューナブル屈折率と応力。導波路伝播損失のための最小吸収。
LPCVD - 低圧CVD
優れたステップカバレッジと均一性の高温・高品質膜。MEMSと半導体デバイスのポリシリコンゲート・犠牲層・熱酸化ライナーの標準。
LTO · SG/PSG · TEOS · ポリシリコン · a-Si
LTPS - 低温ポリシリコン
低温プロセスで結晶質シリコン。ガラス上のディスプレイとセンサー向けTFTバックプレーンに対応。アモルファスシリコンより高いキャリア移動度。
DLC - ダイヤモンドライクカーボン
PECVDによる硬質・化学的不活性カーボンコーティング。極めて高い硬度・耐摩耗性・低摩擦。MEMSウェアレイヤー・生体医療インプラント・工具コーティングに使用。
DLC · a-C:H · ta-C
水素化アモルファスシリコン
N型・P型・ノンドープのa-Si:H。薄膜太陽電池・平面検出器・TFT・MEMSの犠牲層に使用。ロールツーロール成膜にも対応。
a-Si:H（N）· a-Si:H（P）· a-Si:H（ノンドープ）