ファウンドリサービス : ステップ 1 / 11

基板・ウェーハ
供給

基礎的なシリコンから最先端の化合物半導体まで、あらゆるアプリケーションをサポートする完全4階層ポートフォリオ。ファウンドリ加工の一部として、または単独調達として基板を供給します。いずれの場合も、加工開始前に基板仕様をプロセスフローに対してエンジニアが確認します。

見積依頼全サービス ↓

シリコン 2〜12インチGaN / GaAs / InP BK7 / Eagle X ガラス溶融石英サファイアLiNbO₃ / LiTaO₃ 550×650mm ガラス

ポートフォリオ階層（SiからInPまで）

15+

在庫基板材料

550×650

最大ガラスパネルサイズ（mm）

2〜12インチ

シリコンウェーハ径範囲

基板調達はステップ1 - 完全なフローを一括調整

4階層ポートフォリオ概要

完全なファウンドリ加工の一部として、または単独調達として基板を供給します。いずれの場合も、加工開始前に基板仕様をプロセスフローに対してエンジニアが確認します。

ティア 1

シリコンウェーハ

業界の主力。P/N型、2〜12インチ。

ティア 2

ガラス・結晶基板

BK7・ソーダライム・Eagle X・石英・サファイア。

ティア 3

高性能技術基板

SOI・SiC・LiNbO₃/LiTaO₃・グラッシーカーボン。

ティア 4

化合物・エピウェーハ

GaN・GaAs・InP・InGaAs エピウェーハ。

ティア 1 - 基礎

シリコンウェーハ：業界の主力

半導体加工で最も広く使用される基板。フル仕様範囲にわたってシリコンウェーハを供給します。研究用プロトタイプから量産ウェーハまで対応。

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タイプ・方位

P型（ボロン）、N型（リン・アンチモン）。(100)・(111)方位対応。

P型（B）N型（P）N型（Sb）(100)(111)

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ウェーハ径

研究から量産まで、フルサイズレンジ対応。

2インチ4インチ6インチ8インチ12インチ

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グレード

あらゆる用途と予算に対応する3品質グレード。

プライムテストメカニカル

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表面仕上げ

片面研磨・両面研磨・未研磨から選択。

SSP（片面研磨）DSP（両面研磨）未研磨

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抵抗率

デバイス要件に応じた3レンジ。

低 <0.01 Ω·cm中 1〜10 Ω·cm高 >10 Ω·cm

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平坦度・ノッチ

標準・セミスタンダード・ノッチ付きに対応。

標準セミスタンダードノッチ付き

コーティング付きシリコンオプション

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熱酸化膜付き

ウェット・ドライ熱酸化SiO₂。高品質ゲート酸化膜・アイソレーション・エッチストップ層。プライムウェーハに対応。カスタム厚さ指定可能。

ウェット/ドライ SiO₂ゲート酸化膜品質カスタム厚さ

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薄膜コーティング済み

25・50・100枚ロットでの薄膜成膜済みウェーハ。カスタム薄膜はリクエストで対応。

25・50・100枚ロットカスタム薄膜対応

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エピタキシャルシリコン

高ドープ基板上のエピシリコン。N on N+、P on P+。カスタムエピ仕様はリクエストで対応。

N on N+P on P+カスタムエピ仕様

ティア 2 - 多用途コア

ガラス・結晶基板：幅広いアプリケーションに対応する高性能材料

光学特性・熱安定性・耐薬品性に優れた3種類のガラスと3種類の結晶材料。

光学 / 可視光

BK7ガラス

光学アプリケーションと優れた機械的安定性で高く評価。可視光吸収が低い標準光学ガラス。

高い可視光透過率
優れた機械的安定性
気泡・介在物含有量が少ない
光学素子・レンズ・窓材に最適

ディスプレイ / 大型パネル

ソーダライムガラス

加工の容易さ・コスト効率・汎用性で評価される幅広いアプリケーション向け主力ガラス。

コスト効率最高、最低コスト/m²
大型パネルフォーマットで入手可能
エッチングとボンディングが容易
ディスプレイパネル・汎用ガラスMEMS

ディスプレイ / ハイエンド

Eagle Xガラス

特殊アプリケーション向けの優れた品質・透明性・耐久性。Corning Eagle XG、高性能ディスプレイ基板。

優れた透明性、ディスプレイグレード
低アルカリ含有量、イオン移動なし
低CTE、寸法安定性
AMOLED・LTPS TFTバックプレーン

高温 / 光学

石英ウェーハ

高純度・熱安定性・優れた光学・電気特性と高温耐性。結晶石英（SiO₂）ウェーハ。

非常に高い純度（99.99%+ SiO₂）
1050°Cまでの熱安定性
圧電特性、レゾネーターに使用
UV〜可視光の光学透過

UV〜IR 光学

溶融石英

高透過率と低熱膨張によりUV〜IRアプリケーションに最適。フォトマスク基板の基準材料。

UV〜IR透過（180nm〜4µm）
超低熱膨張（CTE ≈0.55 ppm/°C）
フォトマスク基板
光学導波路・レーザー光学部品

グレード・仕様を見る →

高耐久性

サファイアウェーハ

極めて高い硬度（モース9）、広い透過域、化学・放射線ダメージへの耐性。

モース硬度9、耐引っかき性
150nm〜5µm透明（UV〜IR）
GaN-on-サファイアエピ基板
LED基板・放射線硬化光学部品

大型フォーマットガラス

最大550×650mmまでのガラス基板加工

標準的なウェーハ径を大幅に超えるガラス基板の精密加工を提供します。より多くのチップを1回の加工で生産でき、コストを大幅に削減します。

370×470mm

標準大型フォーマット加工
Gen 2.5

550×650mm

最大大型フォーマット能力
Gen 4（標準12インチの4倍面積）

ティア 3 - 高性能

高性能技術基板：要求の厳しいエレクトロニクス向けに設計

SOI・SiC・圧電基板は、標準シリコンでは満たせない性能要件のために設計された材料です。

RF / 先端CMOS

SOI - シリコンオンインシュレータ

寄生デバイス容量を低減できることでエレクトロニクスで注目される材料。埋め込み酸化膜層がアクティブSiをバルクSiから電気的に分離します。

埋め込み酸化膜（BOX）層でアクティブSiを分離
バルクSiに対して低い寄生容量
5Gフロントエンドモジュール向けRF-SOI
低消費電力CMOS向けFD-SOI
精密センサー向けMEMS-on-SOI

パワー / 高温

SiC - シリコンカーバイド

高温耐性・高熱伝導率・高周波・高電力アプリケーションへの適合性の強力な組み合わせ。

バンドギャップ 3.26 eV（4H-SiC）、Siの3倍
熱伝導率Siの3倍
臨界電場Siの10倍
SiC MOSFET・ショットキーダイオード・JFET基板
4H-SiC・6H-SiC、4インチ・6インチ径対応

SAW / RFフィルター

LiNbO₃・LiTaO₃

電気通信に不可欠なSAW（表面弾性波）フィルターに必須の材料。ニオブ酸リチウムとタンタル酸リチウム。

LiNbO₃（LN）、高い電気機械結合
LiTaO₃（LT）、優れた温度安定性
SAWレゾネーター・フィルター・デュプレクサ
4G/5G周波数帯フィルター
非線形光学アプリケーション

電気化学

グラッシーカーボン

化学的不活性・高温安定性・電気伝導性のユニークな組み合わせ。電気化学センサーと神経インターフェースに最適。

化学的不活性、全酸/アルカリに耐性
電気伝導性（ガラスとは異なる）
不活性ガス中3000°Cまでの高温安定性
電気化学センサー・神経インターフェース

ティア 4 - 最先端

化合物・エピウェーハ：次世代半導体デバイス

フォトニクス・RF・パワー向けIII-V族化合物半導体。シリコンでは実現できない材料特性を持つ次世代デバイス向け基板。

高速エレクトロニクス

InP - インジウムリン

高速エレクトロニクスとフォトニクス向け。InPは商用半導体の中で最高の電子速度を持ち、ミリ波・テラヘルツ域を可能にします。

最高の電子速度、HBT・HEMT
直接バンドギャップ: 1.35 eV（1550nmレーザー）
テレコムレーザー・フォトディテクター・変調器
mmWave/sub-THz アンプ

LED / レーザー / フォトニクス

GaAs - ガリウムヒ素

LED・レーザー・各種フォトニクスアプリケーションに最適。GaAsは最初の直接バンドギャップ半導体として高効率の光発光を可能にしました。

直接バンドギャップ、高効率発光
Siに対して高い電子移動度
HBT・pHEMT・MESFET（RF用）
多接合太陽電池（効率40%以上）

高電力 / 5G

GaN - 窒化ガリウム

高周波・高電力アプリケーション向け。GaN-on-SiCは5G基地局電力増幅器で主流。GaN-on-Siはより低コストのパワーデバイスを実現。

ワイドバンドギャップ 3.4 eV、高耐圧
高い電子飽和速度
GaN-on-SiC（RF PA）、GaN-on-Si（パワー）
5G mmWave・LiDAR・LED・パワーコンバータ

フォトディテクター / 太陽電池

InGaAs - インジウムガリウムヒ素

フォトディテクターと太陽電池向け。InGaAsは組成調整可能なバンドギャップを持つ標準的な近赤外フォトディテクター材料。

調整可能なバンドギャップ、NIR検出 0.8〜3µm
高感度フォトディテクター
1550nm テレコム受信器PINダイオード
多接合太陽電池・サーマルイメージャー

選択ガイド

材料・アプリケーション対応表 - 最適基板を即座に確認

当社の基板ポートフォリオPDFに基づいて作成。この対応表を使用して、デバイス要件に合う材料を素早く確認してください。

材料	汎用	光学（可視）	光学（UV/IR）	高周波	高電力	高温	フォトニクス / レーザー
シリコン（Si）
BK7 ガラス
溶融石英
サファイア
石英ウェーハ
LiNbO₃ / LiTaO₃
GaAs
InGaAs
SOI
SiC（4H/6H）
GaN（各基板）
InP

● 主要適用あり部分的適用適用外

応用分野

デバイス要件に合わせた基板選定

🧲

MEMSセンサー・アクチュエータ

バルクマイクロマシニング向けプライムシリコン(100)、アイソレーション付きサーフェスMEMS向けSOI、低熱ノイズ圧力センサー向け溶融石英、MEMS発振器向け圧電石英。

Si(100)SOI溶融石英石英ウェーハ

⚡

パワーデバイス（EV・産業）

650V〜10kV向けSiC MOSFETとショットキーダイオード向け4H-SiC。100〜650Vパワートランジスタ向けGaN-on-Si。5G電力増幅器向けGaN-on-SiC。

4H-SiCGaN-on-SiGaN-on-SiC

📡

RF・5Gデバイス

アンテナスイッチとチューナー向けRF-SOI。低雑音増幅器向けGaAs pHEMT。mmWave/THz向けInP HEMT。SAWフィルター向けLiNbO₃/LiTaO₃。

RF-SOIGaAsInPLN/LT SAW

🔭

フォトニクス・光学

UV〜IR光学部品向け溶融石英。レーザーダイオードとVCSEL向けGaAs/InP。フォトディテクター向けInGaAs。GaN LEDエピ向けサファイア。

溶融石英GaAs/InPInGaAsサファイア

🔲

ガラスインターポーザ・TGV

TGVインターポーザ向け大型フォーマットガラス（BK7・ソーダライム・Eagle X）最大550×650mm。シリコンインターポーザより低コストで優れたRF特性。

BK7Eagle Xソーダライム最大550×650mm

🧬

生体医療・マイクロ流体

化学的不活性マイクロ流体チャネル向け溶融石英。電気化学バイオセンサーと神経記録向けグラッシーカーボン。光学バイオチップ向けBK7ガラス。

溶融石英グラッシーカーボンBK7ガラス

なぜ株式会社ナノシステムズJPか

プロジェクト全体をサポートする単一の基板パートナー

ほとんどの基板サプライヤーはウェーハを出荷するだけです。当社は基板を完全なファウンドリプロジェクトの最初のステップとして供給します。基板選定から最終ダイシングまで、一つのPOで調整できます。

4階層ポートフォリオ、単一サプライヤー

標準シリコンからGaNエピウェーハまで、単一の発注書・単一の窓口・一つの品質システム。複数のサプライヤーを管理する必要はありません。

基板＋プロセスを1つの見積もりで

注文前に基板仕様をプロセスフローに対して確認します。抵抗率・ドーピング・表面仕上げが要求する電気特性・エッチング・ボンディングに適合しているかを確認。無駄なスピンを防止します。

大型フォーマットガラスのリーダーシップ

550×650mmガラス基板加工はアジアでは稀な能力です。370×470mm（標準大型）と550×650mm（Gen 4最大）の両フォーマットで対応します。

プロセスフローの次のステップ：マスク設計・製造
基板調達後、GDS/DXFファイルからクロムオングラスフォトマスクまで、DRCとフラクチャリング込みでのマスク製造を提供します。

マスク・設計 →

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