各ダイシング方式は異なる基板材料・ダイサイズ・清浄度要件に対して明確な優位性があります。当社のエンジニアがデバイスに基づいて最適な方式を推奨します。
4〜12インチシリコンウェーハのダイヤモンドブレード回転ダイシング。MEMSとIC個片化のワークホース。自動ウェーハマップ読み取り・±2µmカーフ制御・冷却水スプレー対応。
円形ウェーハ（4〜12インチ）と最大500×600mmの大型長方形パネルのガラスダイシング。石英・ホウケイ酸ガラス・アルミナ・溶融石英対応。ガラス専用ブレード。バイオチップ・インターポーザ・ディスプレイ向け。
パルスレーザーがウェーハ表面を破壊せず、デブリも発生させずにシリコンウェーハ内部のダイシングストリート沿いの平面を改質します。水スプレーなし・デブリなし・チッピングなし。多角形ダイ（六角形・八角形）対応。SiPho導波路ファセットを保護。
ダイシングストリート沿いのダイヤモンドチップによる機械的スクライビングとその後の制御劈開。ブレードダイシング接触でチッピングしやすい化合物半導体・SiC・AlNの標準方式。結晶面に沿った劈開でマイクロクラックなし。
従来のブレードダイシングは高圧の冷却水でウェーハを洗浄し、光導波路ファセット・MEMSキャビティ・脆弱なメンブレンを汚染します。ステルスダイシングはこれらの問題をすべて排除します。
金属基板とMEMS-on-metalデバイス、銅フォイル・ステンレス鋼（SUS）・アルミニウムシートのダイシング。金属専用ブレード。フレキシブル回路ダイシング・金属フォイルデバイス対応。
当社が提供する最も特徴的なダイシング能力：300×400mmおよび500×600mmの大型長方形ガラス基板ダイシング。ディスプレイガラス・バイオチップアレイ・ガラスインターポーザ向け。標準ダイシングハウスでは対応できないパネルスケール能力。
ステルスレーザーダイシングで実現する六角形・八角形・その他の非長方形ダイ形状。レーザーパスはソフトウェアで定義されるため、工具コストなし・最低ロットサイズなし・任意の形状に対応。円形光学素子も対応。
ダイシング後AOIで全ダイのカーフエッジチッピング・表面粒子・デラミネーション・クラックをスキャン。マップベースソーティングと不合格ダイの記録。SiPho光学テスト・ダイシング前EO（電気光学）テスト対応。
品質グレード別（良品KGD・マージナル・不良）のダイ配置を、ウェーハマップ座標に記録してソーティング。ウォッフルパック・JEDECトレイ・マップ座標配置対応。組立工程での歩留まり向上。
個片化ダイをJEDEC標準またはカスタムトレイに帯電防止・防湿対策で梱包。InP/GaAsにはN₂パージ対応。追跡可能な記録付き。あらゆるダイサイズに対応。
| 方式 | 基板 / サイズ | ダイ形状 | 精度 | 主な能力 |
|---|---|---|---|---|
| ブレードダイシング - Si | 4〜12インチ 円形 | 長方形のみ | ±2µm カーフ | 標準；水冷式；高スループット |
| ブレードダイシング - ガラス | 4〜12インチ；300×400；500×600mm | 長方形 | ±5µm カーフ | ガラス専用ブレード；パネルフォーマット対応 |
| ブレードダイシング - 厚ガラス | 最大500×600mm | 長方形 | - | インターポーザリッド；MEMSパッケージ |
| ステルスレーザーダイシング | Siウェーハ；任意サイズ | 任意多角形 | サブµm | 乾式；デブリなし；SiPho；MEMS；多角形ダイ |
| ダイヤモンドスクライビング | SiC；AlN；InP；GaAs | 長方形（劈開ガイド） | 結晶面 | 脆性化合物半導体；マイクロクラックなし |
| 金属ダイシング | Cu；SUS；Alシート | 長方形 | - | フレキシブル回路；金属MEMS |
| 大型フォーマットガラス | 300×400mm；500×600mm | 長方形 | ±5µm | パネルスケール能力（業界内で稀少） |
水ベースのブレードダイシングでは失われる光導波路ファセット品質を保護したSiPhoウェーハのステルスレーザーダイシング。ファセット研磨不要。乾式・導波路ファセット清潔・SiPho PIC・KGDテスト対応。
脆弱なメンブレン・カンチレバー・サスペンド構造を持つMEMSウェーハのステルスレーザーダイシング。ブレードダイシングからの水が一度でも接触すると回復不能なダメージを与えます。多角形ダイ対応。
ブレードダイシングが引き起こすダイエッジのマイクロクラックを排除した結晶劈開面に沿うSiCウェーハのダイヤモンドスクライビング。マイクロクラックはEV用途の高電圧ブロッキング能力を損ないます。
バイオチップアレイの大型フォーマットガラスダイシング（500×600mm）。1パネルランあたり数百のバイオチップダイを個片化。石英・溶融石英・DNAフローセル対応。
ブレードダイシングがGaAs・InPに引き起こすダイエッジマイクロクラックを回避したGaAsとInP MMICチップのダイヤモンドスクライビング。mmWave帯でのRFアイソレーション劣化を防止。
Fan-in WLCSPパッケージICを搭載した薄型Siウェーハ（100〜200µm）の標準ブレードダイシング。ウェーハマップガイドソーティング。KGD選別・JEDECトレイ・モバイル/IoT向け。
500×600mmディスプレイガラスパネルの大型フォーマットブレードダイシングで個別ディスプレイ基板・センサーガラス・ウィンドウを個片化。低コスト/ダイ。
非長方形ジオメトリ（六角形・八角形・カスタム多角形）でのLSPRバイオセンサーチップと光学マイクロチップアレイのステルスレーザーダイシング。直線ブレードでは不可能な形状。
AR/VRヘッドセット向け導波路コンバイナーチップとマイクロ光学部品のステルスレーザーダイシング。光学デバイスは特に乾式ダイシングの恩恵を受け、クリーンエッジを維持。多角形形状対応。
シリコンフォトニクスPICと脆弱なMEMS向けの乾式・チップフリーステルスレーザーダイシング。光導波路ファセット品質とMEMSメンブレン完全性を保護する唯一の方式。
ディスプレイガラス・バイオチップ基板・ガラスインターポーザ向けパネルフォーマットガラスダイシング（500×600mm）。標準ダイシングハウスの能力をはるかに超えます。
ステルスレーザーによる六角形・八角形・カスタム多角形ダイ。ソフトウェア定義パスで工具コストなし・最低ロットサイズなし。新しいダイ形状を自由に設計できます。
標準ブレードダイシングでチッピングするSiC・AlN・InP向けのダイヤモンドスクライビング。結晶面劈開でマイクロクラックなし。EV・RF・フォトニクス向けパワーデバイスに対応。
ダイシング・光学検査・KGDソーティング・JEDECトレイ梱包を一施設で。ダイシングハウスと検査ハウスを別々に手配する必要はありません。単一発注書で完結。
ウェーハ薄化（CMP/研削）とダイシングは多くの場合連続するステップです。両方を同一プロジェクトで処理し、スケジュール・仕様・ハンドリングを一括調整します。
プロセス要件・基板・生産数量をお知らせください。エンジニアが1営業日以内にご返信いたします。