半導体コアプロセス : ステップ 4 / 11

ナノインプリント
リソグラフィ（NIL）

株式会社ナノシステムズJPでは、Eビームコストの数分の1でサブ50nmパターニングを提供します。量産向けUV-NIL（ソフトモールド）と直接ポリマー基板ナノ構造化のためのサーマルNIL。マスターモールド製造からインプリント・ドライエッチング転写まで一貫対応。

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UV NIL ソフトモールドサーマルNIL PMMA/PC/PET高屈折率レジスト~500×500mmSi/石英/Ni/ポリマーマスタードライエッチング + アッシングMLA · メタサーフェス · VR/ARDNAナノポア · LSPR

50nm

最小フィーチャーサイズ

~500×500mm

最大基板サイズ

UV・サーマル

NIL方式

4種類

マスターモールド材料

2種類のNIL方式

UVとサーマルナノインプリント

株式会社ナノシステムズJPでは、UV・サーマルナノインプリントとモールド製造を提供します。ナノインプリントリソグラフィはモールドを使用してレジストまたは熱可塑性ポリマー基板に直接ナノ構造をスタンプします。Eビームの100〜1000分の1のコストでサブ50nmの解像度を実現します。

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UV ナノインプリント（UV-NIL）

ソフトポリマーモールドをUV硬化性レジストに押し付け、UVで露光後デモールド。ソフトモールドが露光済み基板の微小な局所的高さの違いに適応します。数千回のインプリントサイクルに耐える量産に最適な方式。

ソフトモールドUV硬化性レジスト~500×500mm対応室温プロセス高スループット量産

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サーマルナノインプリント

基板をガラス転移温度以上に加熱し、ハードモールドを押し付け、冷却後デモールド。UVレジスト不要。PMMA・PC・PETに直接ナノ構造を形成。射出成形NILとポリマー光学フィルムに最適。

PMMA · PC · PETレジスト不要ハードモールド（Si/Ni）ポリマー光学フィルム

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マスターモールド製造

マスターモールド自体を製造します。シリコン（Eビームダイレクトライト + DRIE）、石英（Eビーム + エッチング）、ニッケル（電鋳）、ポリマーソフトモールドの全4種類に対応。

Si Eビーム + DRIE石英 Eビーム + エッチングNi 電鋳ポリマーソフトモールドIP保護対応

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インプリント後処理

NIL後の完全統合：ドライエッチングでインプリントパターンを基板材料（Si・SiO₂・ガラス）に転写、O₂プラズマアッシングで残留レジスト除去。モールドクリーニングとモールド寿命最適化も対応。

ドライエッチングパターン転写O₂プラズマアッシング残留層除去モールドクリーニング

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フォトニクス向け高屈折率レジスト

光学導波路・メタサーフェスレンズ・反射防止構造の製造向け高屈折率（高n）NILレジスト専門対応。AR/VR光学・LiDAR向けの屈折率制御が可能なニモ材料。

高屈折率導波路メタサーフェスレンズ反射防止AR/VR · LiDAR

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大型UV-NIL

約500×500mmまでの基板上のUV-NIL。大型マイクロレンズアレイ（MLA）・ディスプレイ光学フィルム・太陽電池テクスチャリング・大型パネルバイオチップナノポアアレイに対応。

~500×500mm大型MLAディスプレイ光学太陽電池テクスチャリングパネルバイオチップ

NILプロセス仕様

完全パラメータ表

プロセス	最小フィーチャー	基板サイズ	ツーリング	備考
UV-NIL	~50nm	~500×500mm	ソフトモールド	UV硬化性；高屈折率レジスト対応；量産対応
サーマルNIL	~100nm	ウェーハ/パネルフォーマット	ハードモールド	PMMA/PC/PET直接；射出成形NIL
マスター（Si）	~20nm（Eビーム）	8インチまで	Eビーム + DRIE	最高解像度マスター；再利用可能
マスター（石英）	~20nm（Eビーム）	8インチまで	Eビーム + エッチング	UV透過；ハードモールド
マスター（Ni 電鋳）	サブµm	ウェーハ制限	Siから電鋳	量産モールド；高耐久性
マスター（ポリマー）	~1µm	500×500mmまで	Siからキャスト	ソフトモールド；UV-NIL量産
インプリント後ドライエッチング	パターン依存	基板と同じ	RIE/ICP	Si/SiO₂/ガラスへのパターン転写
O₂プラズマアッシング	-	全ウェーハサイズ	プラズマ	残留レジスト除去

応用分野

フォトニクス・バイオ・セキュリティにわたるナノインプリント

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マイクロレンズアレイ（MLA）

カメラモジュール・ディスプレイコリメーション・LiDARビームシェーピング・ディフューザーフィルム向け大型MLA。UV-NILレプリケーションでNi/Siマスターから量産。

UV-NIL · Si/Niマスター大型対応カメラ · ディスプレイ · LiDAR

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メタサーフェス・DOE

200nm以下のフィーチャーを持つサブ波長回折光学素子と平面メタレンズ。Eビームマスター製造とUV-NILレプリケーション。フラット光学・AR/VR・ホログラフィック。

Eビームマスター → UV-NILDOE · フラット光学AR/VR · ホログラフィック

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DNAナノポア

DNAシーケンシングと分子ふるい向けサブ50nmナノポアアレイ。NILでレジストのポア形状を定義、ドライエッチングでSiNメンブレンに転写。

NIL → ドライエッチ → SiNメンブレン50nm以下DNAシーケンシング

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LSPRバイオセンサー

局在表面プラズモン共鳴バイオセンシング向けナノ構造化金アレイ（ピラー・ホール・クレセント）。NIL + Auリフトオフでプラズモニック・ラベルフリー検出。

NIL + AuリフトオフLSPR · プラズモニックラベルフリーバイオセンシング

🥽

VR/AR導波路グレーティング

AR/VRヘッドアップディスプレイ向け導波路基板に直接インプリントした高n NILグレーティング。高屈折率が光結合効率と回折効率を最大化します。

高nレジスト · UV-NILICP-RIE導波路コンバイナー · AR/VR HUD

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セキュリティマイクロ構造

紙幣・製品認証・IDデバイス向け偽造防止ホログラム・回折グレーティング・ナノID構造。UV-NILレプリケーションで高スループット量産。

UV-NIL · ホログラム回折グレーティング紙幣 · 偽造防止

なぜ株式会社ナノシステムズJPか

マスターモールドから完成チップまで、1つのプロジェクト

完全ナノインプリントファウンドリエコシステム - 5ステップサイクル：マスターモールド製造、ナノインプリント、ドライエッチング、アッシング、モールドクリーニング

量産コストで50nm

NILはEビームダイレクトライトの10〜100倍低いコストで50nm以下のフィーチャーを量産でレプリケート。Eビームでプロトタイプし、NILで量産するとコスト構造が根本的に変わります。

モールドからチップへの一貫フロー

Si/石英/Niマスター製造・NIL・ドライエッチング・アッシングを外部ベンダーなしで調整。ナノスケールのアイデアを同一施設内で量産チップに変換できます。

~500×500mm 大型エリア能力

ほとんどのNIL施設は4〜6インチウェーハフォーマットで止まります。当社の大型UV-NIL能力はディスプレイ光学・ソーラーテクスチャリング・大型バイオチップに対応します。

フォトニクス向け高屈折率レジスト

フォトニクス導波路とメタサーフェスに特化した高屈折率レジスト専門対応。フォトニクス向けNILに特有の能力で他では対応できない精度を実現します。

ポリマー基板へのサーマルNIL

レジストコーティングなしでPMMA・PC・PETへの直接ナノ構造化。ポリマー基板のナノフォトニクスチップ、診断チップ、フレキシブルデバイスを量産できます。

1枚からプロトタイプ

単一ウェーハで新しいモールド設計をプロトタイプして、インプリント品質・残留層厚さ・パターン転写エッチング深さを検証後、量産へ移行できます。

プロセスフローの次のステップ：薄膜成膜
NILパターニング後、機能性薄膜（金属・ALD誘電体・光学コーティング）をパターニングされた基板に成膜します。

薄膜成膜 →

ナノインプリントリソグラフィ（NIL）

UV ナノインプリント（UV-NIL）

サーマルナノインプリント

マスターモールド製造

インプリント後処理

フォトニクス向け高屈折率レジスト

大型UV-NIL

マイクロレンズアレイ（MLA）

メタサーフェス・DOE

DNAナノポア

LSPRバイオセンサー

VR/AR導波路グレーティング

セキュリティマイクロ構造

量産コストで50nm

モールドからチップへの一貫フロー

~500×500mm 大型エリア能力

フォトニクス向け高屈折率レジスト

ポリマー基板へのサーマルNIL

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プロジェクトを開始しましょう。1営業日以内にご返信いたします。

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