フロントエンドプロセス : ステップ 2 / 11

設計・
マスク製造

クロムオングラスフォトマスク、金属メタルマスク、完全なCAD設計変換サービスを提供。GDS-II・DXF・DWG・PDF・手書きスケッチも受け付けます。3日以内に見積もり、最低発注数量なし。

GDS-II · DXF · DWG · Gerber クロムオングラス CD 0.5µm レーザーマスク ±10µm 電鋳Ni 30µmアパーチャ ウェットエッチング PCM ソルダーペーストステンシル CAD変換 + DRC 600×600mm 最大シート
0.5µm
フォトマスク最小CD(高精度グレード)
30µm
電鋳Ni最小アパーチャ
600mm
メタルマスク最大シートサイズ
3日
見積もりターンアラウンド(最低発注なし)
3つの専門分野、1つのパートナー
設計変換からマスク製造まで

株式会社ナノシステムズJPでは、設計データの提出からマスク製造まで完全なワークフローを担います。どのフォーマットで設計データをご提出いただいても、エンジニアが変換・検証・製造を行います。

01 /

CAD・GDS設計変換サービス

手書きスケッチ・既存CADファイルをお送りください。エンジニアがDRC検証を行いながら、量産対応のGDS-II・DXF・DWGフォーマットに変換します。プロセス仕様書からのオリジナルマスクレイアウト設計も承ります。

入力フォーマット
GDS-II (.gds)
OASIS (.oas)
DXF (.dxf)
DWG (.dwg)
DWF (.dwf)
Gerber (.gbr)
PDF図面
手書きスケッチ
サービス内容
出力: GDS-II・OASIS・DXF
DRC / LVS 付き
最大256レイヤー
変換: 3〜5営業日
オリジナル設計対応
見積: 3営業日
最低発注なし
相互NDA対応
GDS-II · OASISDXF · DWG · DWFGerber · PDF受付DRC/LVS付き3〜5営業日
02 /

クロムオングラスフォトマスク

ソーダライム・ホウケイ酸ガラス・溶融石英基板上への精密フォトマスク製造。Eビームまたはレーザーダイレクトライトによるクロムパターニング。コンタクトからプロジェクション露光まで全アライナー・ステッパーに対応。

パターニング仕様
Eビーム/レーザーDW
最小CD: 0.5µm
CD均一性: ±50nm
オーバーレイ: ±150nm
クロム厚: ~80nm
基板サイズ
ソーダライム 4″・5″・6″
ホウケイ酸 4″〜9″
溶融石英 4″〜9″
平坦度(石英) <0.5µm
リードタイム 7〜14営業日
Eビーム/レーザーDW最小CD 0.5µmCD均一性 ±50nm溶融石英オプション7〜14営業日
03 / メタルマスク - 3ルート

メタルマスク製造

フィーチャーサイズ・材料・アプリケーションに合わせた3つの補完的製造方法。ソルダーペーストステンシル、蒸着マスク、半導体・MEMSデポジションマスクに対応。

ルートA - ウェットエッチング(PCM)
SUS304/316・Ni・Mo・Cu|厚さ20〜500µm|精度±10µm|最大300×300mm
ルートB(最人気)- レーザーカット
SUS301/304 HA/TA|厚さ30〜200µm|精度±10µm|最大600×600mm|翌日対応可
ルートC - 電鋳Ni(LIGA)
Ni・Hv~370|厚さ30〜200µm|最小アパーチャ30µm|最大600×500mm|リードタイム~2週間
SUS304/316 · Ni · Mo最大600×600mm電鋳Ni 30µm最小ハーフエッチング対応
🔒

IP保護・NDA対応

設計ファイルはGDS・DXFを受領した時点から機密保持されます。設計データを提出いただく前にNDA締結が可能です。マスク製造後はすべての作業データとデジタルコピーはお客様のみに帰属します。

NDA即日対応設計データ機密保持GDS受領前にNDA可作業データ帰属
フォトマスク製造
全アライナー・ステッパー対応のクロムオングラス

当社のフォトマスクは光学グレードガラス上に成膜したクロム層を使用します。クロムはダイレクトライトEビームまたはレーザーライターでパターニングされ、最小CD 0.5µmを達成します。

全マスクアライナーフォーマット対応: MA6・EVG・Karl Süss、KrF/i-lineステッパー、コンタクト/プロキシミティ露光に対応。
🔵

ソーダライムガラス基板

標準フォトマスク基板。4″〜7″サイズ。コンタクトリソグラフィに最適。最もコスト効率の高い選択肢。

4″・5″・6″・7″コンタクトリソグラフィ低コスト
🟤

ホウケイ酸ガラス(Borofloat)

低熱膨張係数。4″〜9″サイズ。温度変化に伴う寸法変化が少ない。ステッパー用途に最適。

4″〜9″低熱膨張ステッパー向け
💎

溶融石英 / 石英

平坦度 <0.5µm。UV/DUVグレード。フォトマスク基板の基準材料。透過率が非常に高く高精度露光に最適。

4″・5″・6″・9″平坦度 <0.5µmUV/DUVグレード
フォトマスクオプション
🔲

バイナリ・ハーフトーン(HTM)

標準バイナリクロムマスクまたは減衰型位相シフトマスク(ATT-PSM)。ハーフトーンマスクはリソグラフィ解像度の向上に使用。

🛡️

反射防止(ARC)コーティング

リクエストに応じて反射防止コーティングを追加可能。ハレーション低減・解像度向上。クロム面・ガラス面両方に対応。

🔵

ペリクルマウント

クリーンルーム環境での使用に最適なペリクルマウントオプション。リクエストに応じて対応。パーティクル汚染からマスクパターンを保護。

📊

全数検査レポート

全マスク出荷にCD-SEM + 欠陥スキャン + 透過率測定データシートを添付。検査データは全枚数で発行。

フォトマスク完全仕様表
仕様項目標準グレード高精度グレード備考
最小CD1µm0.5µmEビームの場合
CD均一性(3σ)±100nm±50nmウェーハ全面
オーバーレイ精度±300nm±150nm基板ガラス依存
クロム厚約80nm(標準)カスタム可透過率調整可
基板材料ソーダライム 4〜6″溶融石英 4〜9″ホウケイ酸ガラスも可
平坦度(石英)-<0.5µm高精度用途
検査光学検査CD-SEM + 欠陥スキャン全枚検査
リードタイム10〜14営業日7〜14営業日複雑度による
梱包マスクボックス + N₂パージ同左全世界追跡配送
メタルマスク製造
3ルート、アプリケーションに合わせた選択

最適なメタルマスクルートはフィーチャーサイズ・アパーチャ壁品質・材料・量産規模に依存します。すべてのルートが600×600mmシート(レーザー)または600×500mm(電鋳)まで対応します。

ルートA

ウェットエッチング(PCM)

フォトケミカルマシニング。金属シートの両面にフォトレジストをパターニングし、同時にエッチングスルー。プロトタイプから中量産まで最もコストパフォーマンスに優れたルート。

材料SUS304 · SUS316 · Ni · Mo · Cu
厚さ20µm〜500µm
最小アパーチャ≥1.0 × シート厚
精度±10µm(標準)
最大シート300mm × 300mm
ハーフエッチング対応
SUS304/316 · Ni · Mo · Cuテーパー側壁 ~10%ハーフエッチング対応

レーザーカット - ファイバーレーザートレパニング

フォトマスク不要でシャープエッジのアパーチャを切断。垂直側壁でテーパー最小(厚みの10%以下)。小ロットは翌日対応可能。ソルダーペーストステンシルと標準蒸着マスクに最適。

材料SUS301 · SUS304(HA/TA)
厚さ30µm〜200µm
形状精度±10µm
テーパー(B−A)≤ t × 10%
最大シート600mm × 600mm
フォトマスク不要(Gerber/DXFから直接)
SUS301/304 HA/TA垂直側壁 ±10µm最大600×600mm翌日対応可
ルートC

電鋳Ni - アディティブ・電鋳

フォトレジストマスター周囲にニッケルを電鋳(メッキ成膜)で積み上げ。最も滑らかなアパーチャ壁面を実現。微細ピッチBGA・マイクロLED・OLED画素蒸着に最適。

材料ニッケル(Ni)· Hv ~370
厚さ30µm〜200µm
最小アパーチャ30µm開口
形状精度±10µm
最大シート600mm × 500mm
リードタイム~2週間(標準)
電鋳Ni · Hv~37030µm最小アパーチャ最も滑らかな側壁OLED · 微細ピッチBGA
追加オプション・後処理
🔧

ハーフエッチング / ステップエッチング

精細ピッチエリアは薄く、その他のエリアは厚く - 1回のプリントパスで異なるペースト量を実現。PCMルートで利用可能。高密度・低密度ランドが混在するPCB / BGA基板に最適。

精細ピッチエリア薄化1パスで異なる厚さPCBハイブリッド基板
🖼️

フレームマウント

アルミニウムまたはSUSフレームに張力をかけて溶接固定。プリンター位置決めの精度を確保。SMDマウント向けソルダーペーストステンシルに標準対応。

Al · SUSフレームテンション溶接プリンター位置決め

機械研磨(後処理)

アパーチャエッジの丸みを除去するための機械研磨。プリントブリードを防止。電鋳Niとレーザーカットマスクの印刷品質向上に有効。

エッジ丸み除去印刷ブリード防止
⚗️

蒸着・スパッタリングマスク

3ルートすべてが蒸着マスクとして使用可能。高温PVDアプリケーション向けにはMoが最適。SiC/AlN/TiN等の高硬度材料の成膜パターニングに使用。

Mo(高温PVD向け)SUS3043ルート全対応
関連サービス
ナノインプリントモールド製造

株式会社ナノシステムズJPでは、4種類すべてのNILマスターモールド製造(Si(Eビーム+DRIE)、石英(Eビーム+エッチング)、Ni電鋳、ポリマーソフトモールド)を提供します。最小フィーチャー約20nm。

💠

Siマスター - Eビーム + DRIE

Eビームリソグラフィ + DRIEエッチングによるシリコンマスターモールド。最小フィーチャー約20nm。最大8インチ対応。ナノインプリント用高アスペクト比構造。

~20nm 最小フィーチャー最大8インチEビーム + DRIE
💎

石英マスター - Eビーム + エッチング

石英基板上のEビームリソグラフィ + ドライエッチング。最小フィーチャー約20nm。UV-NIL用透明モールド。

~20nm 最小フィーチャーUV透明Eビーム + エッチング
🔩

Niマスター - 電鋳

シリコンマスターからの電鋳ニッケルモールド。サブµmフィーチャー。大量量産UV-NIL向け耐久性の高いスタンプ。

サブµm電鋳Ni高耐久スタンプ
🟡

ポリマーソフトモールド

Siマスターからキャストしたポリマーソフトモールド。最小フィーチャー約1µm。柔軟なUV-NIL向け低コストモールド。

~1µm 最小フィーチャーSiからキャスト低コスト
作業フロー
ファイル提出から完成マスクまで

どのフォーマットでも提出いただけます。エンジニアが変換・検証・描画・品質検査のすべてを行い、完成マスクを出荷前にデータシートと共に確認します。

ステップ1
設計データ提出
GDS・DXF・DWG・Gerberまたは手書きスケッチをセキュアポータルまたはメールで提出
ステップ2
CAD変換・確認
エンジニアがフォーマット変換・DRC実行・CDターゲット確認を実施
ステップ3
マスク描画
ガラスマスクはEビームまたはレーザーDW、メタルマスクはウェットエッチング・レーザー・電鋳
ステップ4
CD検査
CD-SEM・欠陥スキャン・透過率測定・データシート発行
ステップ5
全世界出荷
マスクボックス + N₂パージで梱包、追跡配送、通常合計7〜14日
デポジション・蒸着マスク応用
半導体・MEMS製造向け物理デポジションマスク

フォトリソグラフィのお客様も物理デポジションマスクを必要とします - フォトレジストを使用できない材料のパターニング、または超薄ウェーハ・3D構造への成膜に使用します。

📺

OLED画素蒸着

RGBサブ画素開口部を熱蒸着で定義する精細ピッチNi電鋳マスク。30〜100µmアパーチャ、±10µm。蒸着ソース熱にも耐える高硬度Ni(Hv~370)。

電鋳Ni30〜100µmアパーチャ±10µm

PVD / スパッタリングマスク

スパッタリング中の選択的エリア成膜向けMoまたはSUSマスク。高温安定。電極パターニング・MEMS金属化層・感光材料を汚染できないデバイスに使用。

Mo · SUS304最大600×600mmウェットエッチ/レーザー
🔬

Eビーム蒸着マスク

MEMS・光学・センサーデバイスへの金属(Au・Pt・Ti・Al)の高真空Eビーム蒸着向けモリブデンマスク。50〜300µm厚、ウェットエッチング、高温安定。

Mo(高温安定)50〜300µmウェットエッチ
🔩

ソルダーペーストステンシル(PCB / 電子部品)

PCBとサブストレートへのクリームはんだ印刷向けレーザーカットSUS304ステンシル。形状精度±10µm、600×600mm。フレームマウントおよびフレームレス対応。

レーザーカット SUS304±10µm最大600×600mm
🧪

有機半導体マスク

OFET・OPV・有機センサーデバイス製造向けシャドウマスク。溶剤なしで有機半導体層をパターニング。SUS304/Ni、ウェットエッチング、20〜200µm厚。

SUS304 / Niウェットエッチ20〜200µm
💥

イオンビーム・イオン注入マスク

ウェーハとサブストレート上の選択エリアイオンビームエッチングと注入向け重厚SUSまたはMoマスク。デポジションマスクよりも大幅に厚い(100〜500µm)。

Mo · SUS316100〜500µmウェットエッチ PCM
なぜ株式会社ナノシステムズJPか
01

フォトマスク+メタルマスクを1社で

クロムオングラスフォトマスクとメタルシャドウマスクの両方を単一の発注書・単一の窓口で調達。設計データはどちらにも使用可能。

02

3メタルマスクルート

ウェットエッチング(PCM)・レーザーカット・電鋳Niのすべてを提供。アプリケーションに合った最適ルートをエンジニアが推奨します。

03

翌日対応(レーザーカット)

フォトマスク不要のレーザーカットルートなら、小ロットのソルダーペーストステンシルや蒸着マスクを翌日に製造することも可能。

04

最低発注数量なし

1枚から発注可能。プロトタイプフェーズから量産まで同一の品質・同一のエンジニアチームが対応。

05

設計からマスクまで一括対応

手書きスケッチやPDFからGDS-IIへの変換も自社で実施。設計とマスク製造を別々に発注する必要がありません。

06

NDA対応可

設計ファイルはGDS・DXF受領時点から機密保持。設計データ提出前にNDA締結可能。

プロセスフローの次のステップ:フォトリソグラフィ
マスクパターンをウェーハに転写。Eビーム 20nm、KrF 50nm、大型フォーマット 500×600mm、表裏対応マスクアライナー。

フォトリソグラフィ →

プロジェクトを開始しましょう。
1営業日以内にご返信いたします。

設計ファイル(GDS・DXF・DWG・PDF・スケッチ)、マスクタイプ、数量をお知らせください。エンジニアが1営業日以内にご返信いたします。詳細見積もりは通常7〜10営業日以内。全データ厳重管理。

sales@nanosystemsjp.co.jp · +81-3-5288-5569 · NDA対応可 · 全データ厳重管理

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Services & Industries
⚙️ Capabilities Overview
Substrates
🔷 Substrate & WafersSi, SiC, GaN, glass, sapphire 🔬 Fused Silica WafersQuartz · borosilicate · low CTE 🟣 PI Film & SUS Sensor FabRoll-to-roll · sensor patterning
Front-End
🎭 Mask FabricationGDS to chrome mask, DRC 📷 PhotolithographyE-beam 20 nm to 500×600 mm 🔬 NanoimprintingUV & thermal NIL 🫧 Thin Film DepositionPVD, CVD, ALD, MBE ⬆️ LiftoffMetal pattern · shadow mask ⚡ ElectroplatingCu TSV fill, DPC, LIGA 🌊 EtchingICP-RIE, DRIE >50:1 🔥 AnnealingN₂ / H₂ / vacuum / RTA ⚛️ Ion ImplantationB / P / As / Al / N implant 🔄 CMP & GrindingCu CMP, 50 µm thinning 💎 DicingBlade, stealth laser 🧪 Wafer CleaningRCA, plasma, megasonic
Advanced Packaging
🔗 Wafer BondingHybrid, eutectic, fusion 📌 TSV FabricationHigh AR, void-free Cu fill 👁️ TSV RevealBackgrind → etch → CMP 🪟 TGV FabricationThrough-glass via 🔀 RDL FabricationBCB / PBO / PI + damascene 📦 Packaging & AssemblyWire bond, flip-chip 📚 3D / 2.5D PackagingTSV + RDL + UBM + C4 🥇 AuSn BumpPVD lift-off, fluxless 🧬 Biochip & MicrofluidicsGlass 500×600 mm, NIL 🔆 SiPho PackagingTSV · RDL · UBM · C4 for PIC
Industries
🤖 AI & HPC PackagingCoWoS-style, 2.5D / 3D 💡 Silicon PhotonicsSOI · AuSn · TSV interposer 🚗 AutomotiveMEMS sensors, SiC power 🧬 Life SciencesLab-on-chip, biosensors 🔭 All Industries → Request a Quote →